机译:使用特殊设计的晶格匹配缓冲器在Si(100)上生产非极性a面GaN膜:一种消除极化效应的新方法
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan;
机译:HVPE和AlN缓冲层生长的非极性a面GaN薄膜的性能
机译:通过化学气相沉积在晶格匹配的(100)β-LiGaO_2衬底上生长非极性m面GaN外延膜
机译:偏振匹配的C平面和晶格匹配的A面横滩/ GaN量子阱结构的光学性能比较
机译:非极性A平面GaN膜的太赫兹介质响应
机译:一种统计方法,用于优化电沉积硫化铟(III)(In2S3)膜的参数,这是光伏应用中潜在的低危害缓冲层。
机译:GaN离子切片和在CMOS兼容Si(100)衬底上异质集成高质量GaN膜的热力学研究
机译:使用原位SINX NANMASK使用非极性A平面GAN薄膜的缺陷减少