机译:低温下添加HCl对SiC同质外延生长过程中气相和表面反应的影响
机译:富硅条件下在(0001)孔表面上4h-sic同质外延生长中的台阶流和二维成核模式的理论考虑
机译:高温处理后的纳米织构4H–SiC同质外延层的表面演变:形貌表征和石墨烯生长
机译:镍硅化反应在低温下在6H-SiC(0001)表面上生长几层石墨烯
机译:含HCl添加剂的4H SiC低温卤碳同质外延生长的生长速率,掺杂和表面形貌的影响因素
机译:在低温卤化碳同质外延生长4H碳化硅中进行氮掺杂。
机译:高温处理后的纳米织构4H–SiC同质外延层的表面演变:形貌表征和石墨烯生长
机译:高温处理后纳米织构4H-siC同质外延层的表面演变:形貌表征和石墨烯生长