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Influence of transverse fields on domain wall pinning in ferromagnetic nanostripes

机译:横向磁场对铁磁纳米带中畴壁钉扎的影响

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摘要

We report an experimental study dealing with the influence of in-plane transverse fields on the domain wall (DW) pinning in ferromagnetic nanostripes. We analyzed the pinning probability and depinning fields for several fabrication induced pinning sites. for all measurements reported here, the depinning field decreases with increasing transverse field independently from the actual domain wall type and the shape of the pinning site. The pinning probability decreases with increasing transverse fields for weak pinning sites. Stronger pinning sites can be active for large field ranges and show a complex dependence of the pinning probability on the applied transverse field. The occurrence of different domain wall types as well as the influence of a transverse field on the domain wall dynamics can explain this behavior.
机译:我们报告了一项实验研究,该研究处理了铁磁纳米带中钉扎在畴壁(DW)上的平面内横向场的影响。我们分析了几个制造诱导的钉扎点的钉扎概率和钉扎场。对于此处报告的所有测量结果,钉扎场都随横向场的增加而减小,而与实际畴壁类型和钉扎点的形状无关。对于弱钉扎点,钉扎概率随横向场的增加而减小。较强的钉扎点可在较大的磁场范围内起作用,并且显示钉扎概率对所施加的横向电场的复杂依赖性。不同畴壁类型的出现以及横向场对畴壁动力学的影响可以解释这种现象。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2012年第2期|p.023911.1-023911.5|共5页
  • 作者单位

    Institute of Photonic Technology Jena, Albert-Einstein-Str. 9, 07745 Jena, Germany;

    Institute of Photonic Technology Jena, Albert-Einstein-Str. 9, 07745 Jena, Germany;

    Institute of Photonic Technology Jena, Albert-Einstein-Str. 9, 07745 Jena, Germany;

    Institute of Solid State Physics, University of Jena, Helmholtzweg 5, 07743 Jena, Germany;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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