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Spin resolved conductance in semiconductor mesoscopic rings: not spin gate response

机译:半导体介观环中的自旋分辨电导:不是自旋门响应

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摘要

Based on the equilibrium Green's function formalism, we study the spin resolved conductance in a semiconductor mesoscopic ring when it bridges two source and drain electrodes. Effects of Rashba spin-orbit interaction (RSOI) and Dresselhaus spin-orbit interaction (DSOI) on the spin transport is taken into account. It is shown that complete spin inversion can occur in the presence of RSOI and/ or DSOI and in the absence of applied magnetic field threading the ring. Results of this study can be used to designing a perfect not spin gate or spin inverter. We have also investigated the effects of a tunnel barrier and of asymmetric relative positions of incoming and outgoing electrodes on the spin resolved conductance and spin inversion effect.
机译:基于平衡格林函数形式,我们研究了半导体介观环桥接两个源极和漏极时的自旋分辨电导。考虑了Rashba自旋轨道相互作用(RSOI)和Dresselhaus自旋轨道相互作用(DSOI)对自旋传输的影响。结果表明,在存在RSOI和/或DSOI的情况下,以及在没有施加磁场穿过环的情况下,都可能发生完全自旋反转。这项研究的结果可用于设计一个完美的非自旋门或自旋逆变器。我们还研究了自旋分辨电导和自旋反转效应的隧穿势垒以及进出电极的不对称相对位置的影响。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2012年第12期|p.124502.1-124502.6|共6页
  • 作者

    Ebrahim Heidari Semiromi;

  • 作者单位

    Faculty of Physics, University of Kashan, Kashan, Iran;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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