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机译:横跨LaAIO_3衬底的孪生边界构图的YBa_2Cu_3O_7纳米桥的过渡特性
Department of Display and Semiconductor Physics, Korea University, Jochiwon, Chungnam 339-800,South Korea;
Division of Convergence Technology, Center for Emerging Measurement Standards, KRISS,Daejeon 305-340, South Korea;
Department of Display and Semiconductor Physics, Korea University, Jochiwon, Chungnam 339-800,South Korea;
机译:YBa2Cu3O7纳米桥在LaAlO3衬底的双边界上构图的过渡特性
机译:有和没有双边界的YBa_2Cu_3O_7纳米桥的超导过渡特性比较
机译:在图案化的4H-SiC衬底上通过蒸气-液-固机理消除3C-SiC异质外延生长时的孪晶边界
机译:双轴纹理金属基板上YBA_2CU_3O_7薄膜晶界网络运输性能
机译:具有不同身体活动模式的单卵双胞胎的生理特征。
机译:遵循Ni-Mn-Ga磁性形状记忆膜过渡路径中的马氏体结构足迹:洞察双边界和界面的作用
机译:涡旋 - 晶格电感和剪切模量的坍塌 在未获胜的$ \ rm YBa_2Cu_3O_7 $中融化转换
机译:衬底双诱导微结构对磁场中外延Tl2Ba2CaCu2O(x)薄膜输运性质的影响