...
机译:在28 nm高k金属栅技术中模拟Si-SiON-HfO_2-TiN栅堆叠的镧,氮和氟处理的影响
AQcomputare Gesellschaft fuer Materialberechnung mbH, Annaberger Str. 240, 09125 Chemnitz, Germany,Dresden Center for Computational Materials Science (DCMS), TU Dresden, 01069 Dresden, Germany;
AQcomputare Gesellschaft fuer Materialberechnung mbH, Annaberger Str. 240, 09125 Chemnitz, Germany;
Fraunhofer IPMS-CNT, Koenigsbruckerstr. 178, 01099 Dresden, Germany;
Globalfoundries, Wilschdorfer Landstr. 101, 01109 Dresden, Germany;
机译:掺氟高k /金属栅p-MOSFET 28-nm工艺过程的低频噪声研究
机译:p沟道MOSFET退火温度解耦等离子体处理后的28 nm堆叠HfZrO
机译:采用28 nm CMOS技术的LaOx封顶的高K /金属栅NMOSFET中的平坦带滚降行为的建模和表征
机译:高性能块状平面20nm替代栅极high-k金属栅极技术的内在电介质堆叠可靠性以及与28nm栅极首次高k金属栅极工艺的比较
机译:研究将Ⅲ族元素(镧,gate 、,和铝)掺入用于高级CMOS应用的金属栅/高k堆栈中的方法。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:在高达1级的28 nm Hi-K金属栅CMOS技术上的总电离剂量效应