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机译:具有氧化铈界面层的4H-SiC MOSFET中的高场效应移动性,具有抑制的负阈值电压偏移
Tokyo Inst Technol Sch Engn Midori Ku 4259 Nagatsuta Yokohama Kanagawa 2268502 Japan;
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Tokyo Inst Technol Inst Innovat Res Midori Ku 4259 Nagatsuta Yokohama Kanagawa 2268503 Japan;
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Silicon carbide; Cerium oxide; Field effect mobility; Interface state density;
机译:通过快速在线接通方法精确确定在4H-SiC MOSFET中的负栅极偏置应力期间的阈值电压偏移
机译:4H-SiC(0001)金属氧化物半导体场效应晶体管的小阈值电压不稳定性和高沟道迁移率并存
机译:使用快速I-V测量研究具有TiN / HfO2结构的输入/输出n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管在正偏置应力下的异常负阈值电压偏移
机译:关于超薄栅极氧化物MOSFET的阈值电压漂移的新见解
机译:用于集成电路设计的4H-SiC低压MOSFET的建模和验证。
机译:使用光反应性界面层通过局部沟道掺杂来调节有机薄膜晶体管的阈值电压
机译:用非弛豫方法精确表征4H-siC mOsFET的阈值电压不稳定性
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响