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机译:在接触区域中对等离子体处理的非晶铟 - 镓 - 氧化锌薄膜晶体管中石墨烯源/漏电极的电学特性
Chungbuk Natl Univ Sch Informat & Commun Engn Cheongju 28644 Chungbuk South Korea;
Daegu Gyeongbuk Inst Sci & Technol Intelligent Devices & Syst Res Grp Daegu South Korea;
机译:接触区域中经过等离子处理的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管中石墨烯源/漏电极的电特性
机译:使用n(+)-ZnO缓冲层提高非晶铟镓锌氧化锌薄膜晶体管的源/漏接触电阻
机译:Moti扩散屏障在具有铜源/漏电极的非晶铟 - 镓 - 氧化锌薄膜晶体管中的作用
机译:利用氧等离子体处理的ITO源电极和漏电极的N沟道氟化铜酞菁薄膜晶体管
机译:有源矩阵有机发光显示器:新型非晶硅薄膜晶体管和像素电极电路
机译:在薄膜晶体管的非晶InGaZnO层上直接喷墨印刷银源/漏电极
机译:具有直接接触不对称石墨烯电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的物理表征