机译:绝缘体上硅晶片的Si(100)膜的表面电导测量
Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation, 314 Nishi-Sangao, Noda, Chiba 278-0015, Japan;
surface electrical conduction; silicon-on-Insulator (SOI); pseudo-MOSFET; four point probe; HF treated silicon surface; surface states; pinning; inversion layer; sheet resistivity;
机译:定向聚合物中导电的各向异性研究。一,平行于薄膜表面的本体导电分析
机译:介电赤铁矿薄膜的导电机制的低温电学测量和理论电子能带结构计算
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机译:(100)绝缘体上硅材料中复制的亚微米级特征的电子CD测量值和横截面晶格计数的比较
机译:通过表面电阻率测量研究了铜(100)膜上吸附物的相互作用。
机译:同时测量多层膜结构中的上表面及其下层膜表面
机译:使用分离测量技术的Z型Langmuir Blodgett薄膜的传导电流测量:薄膜的电性能。