机译:用于单电子检测的铸造金属氧化物半导体场效应晶体管静电计
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
electrometer; silicon; metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET); gate-induced batrier;
机译:使用金属氧化物半导体场效应晶体管的单电子转移和检测
机译:使用金属氧化物半导体场效应晶体管的单电子转移和检测
机译:使用垂直耦合的Al和Si单电子晶体管检测金属氧化物半导体结构中的单电荷缺陷
机译:热载体诱导硅金属氧化物半导体场效应晶体管中的光子发射
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:单电子泵浦硅金属氧化物半导体量子点
机译:检测金属氧化物半导体中的单电荷缺陷 使用垂直耦合的al和si单电子晶体管的结构
机译:纯硅上的增强型金属氧化物半导体单电子晶体管。