机译:电学特性对在绝缘体上的SiGe / n-金属-氧化物-半导体场效应晶体管上生长的无应变Si的Si厚度和Ge浓度的影响
Nano-SOI Process Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Korea;
strained Si; compressive strained SiGe; relaxed SiGe; electron mobility; UHV-CVD;
机译:自热对纳米级绝缘体上应变硅和在绝缘体上Sige上生长的应变硅中的金属迁移率N-金属氧化物半导体场效应晶体管的电子迁移率的比较研究
机译:等离子体辅助分子束外延生长的AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的电学性质和DC器件特性的壁垒厚度依赖性
机译:超薄绝缘体上硅n-金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的硅厚度波动散射依赖性
机译:基于绝缘子N-MOSFET的纳米鳞状Si的电气特性的RTA效应
机译:基于单晶,无应变和应变硅的纳米膜上的高速薄膜晶体管。
机译:对CVD生长的单层MoS2场效应晶体管的电学特性的环境影响
机译:在siâ,â,