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机译:在65 nm互补金属氧化物半导体中具有注入锁定功能的基于1.2-17.6 GHz环形振荡器的锁相环
Solutions Research Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan;
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机译:65nm互补金属氧化物半导体工艺中的0.5V低功耗全数字锁相环
机译:90 nm互补金属氧化物半导体中的2.4-10 GHz低噪声注入锁定环压控振荡器
机译:基于65 nm CMOS的两级环形振荡器的40 Gb / s串行链路发送器的7.6 mW,414 fs RMS抖动10 GHz锁相环
机译:采用65 nm CMOS工艺的2.2–2.4 GHz自对准亚谐波注入锁定锁相环
机译:用于数GHz时钟生成的数字锁相环。
机译:低相位噪声18 GHz Kerr频率微梳锁相在65 THz以上
机译:极化分析65nm标准CmOs技术中的互补金属氧化物半导体图像传感器
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。