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机译:在铁电栅FET的陡峭亚阈值摆动操作中,绝缘体上硅FET优于FinFET的结构优势
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
Univ Tokyo, Dept Mat Engn, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
机译:陡斜率FinFET中的有效驱动电流(相对于传统FinFET)
机译:陡坡肖特基Si-FinFET的工作方式和电传输
机译:通过离子注入蒙特卡罗模拟研究20 nm体MOSFET和绝缘体上硅FinFET中的随机掺杂波动
机译:负电容纳米片材GAA-FET和FinFET的极陡峭开关
机译:有限因变量和结构方程模型:在交通运营和安全方面的经验应用。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:陡坡肖特基SI-FINFET的操作制度和电气运输