机译:基于高度受控的SiO_2薄膜的超薄介电薄膜的可靠性因子
Univ Tsukuba, Grad Sch Pure & Appl Sci, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Univ Tsukuba, Grad Sch Pure & Appl Sci, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Univ Tsukuba, Grad Sch Pure & Appl Sci, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
机译:Si / sio_2界面性质对超薄氧化物/氮化物介质薄膜电性能和击穿特性的影响
机译:Si(100)上的超薄(HfO_2)_x(SiO_2)_(1-x)介电膜的带隙和带隙
机译:超薄SiO_2薄膜介电击穿后的原子力显微镜形貌。
机译:Pr与SiO_2固相反应生长的超薄介电薄膜
机译:高电荷离子与超薄介电膜的相互作用。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:超离子照射引起的超超介电膜的长期可靠性降解