机译:通过在氮化硅和二氧化硅的深孔进行等离子刻蚀过程中形成溴化铵,消除了孔深对长宽比的依赖性
Hitachi Ltd, Ctr Technol Innovat Elect, Kokubunji, Tokyo 1858601, Japan;
Hitachi High Technol Corp, Kudamatsu, Yamaguchi 7440002, Japan;
Hitachi High Technol Corp, Kudamatsu, Yamaguchi 7440002, Japan;
机译:氧化硅-氮化物-氧化硅(SONOS)存储器中热电子注入程序/热空穴擦除循环行为的通道宽度依赖性
机译:基于深反应离子刻蚀的硅高级刻蚀,用于硅高纵横比微结构和三维微纳结构
机译:激光钻孔,顶层帽子微尺度高纵横比孔中的氮化硅孔
机译:高纵横比接触(HARC)中侧壁氮化硅形成后,氯化铵沉积物引起的未开口接触孔
机译:用蚀刻和沉积法对二氧化硅接触孔的等离子体蚀刻轮廓进行建模。
机译:通过金属辅助化学刻蚀的100纳米以下有序硅孔阵列
机译:用于蚀刻二氧化硅和氮化硅的替代化学品
机译:再氧化氮化二氧化硅中的空穴俘获。