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机译:通过控制间隔层的表面形态来提高有机金属气相生长的InAIN高电子迁移率晶体管中的电子迁移率
Fujitsu Ltd, Atsugi, Kanagawa 2430197, Japan;
Fujitsu Labs Ltd, Atsugi, Kanagawa 2430197, Japan;
Fujitsu Ltd, Atsugi, Kanagawa 2430197, Japan;
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机译:通过在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中注入硅离子注入源极/漏极触点,通过AIN间隔层插入来增强漏极电流
机译:在具有光增强化学和等离子体增强原子层沉积氧化物的倒梯形三栅极AlGaN / GaN MOS高电子迁移率晶体管中,由栅极面积和栅极凹槽控制的阈值电压
机译:通过外延层应力工程提高AlN / GaN / AlN双异质结高电子迁移率晶体管中的2D电子迁移率
机译:低能电子照射对增强型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:使用第四季AlInGaN势垒层的极化工程增强型高电子迁移率晶体管