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Nanoelectronic Circuits

机译:纳米电子电路

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摘要

Nanotechnologies have invaded research laboratories and foundries. Fabrication and characteriza-tion tools have emerged with feature sizes 10 nm, even approaching the ultimate molecular scale, and thus exotic quantum phenomena hold dominant sway.rnMeanwhile, semi-classical device physics has invaded the upper nano scale, and successful nano-transistors, tunneling and resonant tunneling devices have been realized well below 100 nm feature size, down to 15 nm. Metal-wired nanoscale transistor circuits (nano CMOS) have been designed with traditional computer-aided design techniques. However, the lower nanoscale region is still open for engineering exploration.
机译:纳米技术已经侵入了研究实验室和铸造厂。出现了制造和表征工具,其特征尺寸为10 nm,甚至逼近了最终的分子规模,因此奇特的量子现象占据了主导地位。同时,半经典的器件物理学已经侵入了纳米级上层,成功的纳米晶体管,已经实现了远低于100 nm特征尺寸(低至15 nm)的隧穿和谐振隧穿器件。金属线纳米级晶体管电路(nano CMOS)已使用传统的计算机辅助设计技术进行了设计。但是,较低的纳米级区域仍可供工程探索。

著录项

  • 来源
  • 作者

    A.I. Csurgay; W. Porod;

  • 作者单位

    Faculty of Information Technology, Pazmany Peter Catholic University, Prater utca 50/a, 1083 Budapest, Hungary;

    rnCenter for Nano Science and Technology, Electrical Engineering Department, The University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, U.S.A;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《化学文摘》(CA);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:01:50

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