机译:FinFET CMOS逻辑栅极,具有用于可重构计算系统的非易失性状态
Natl Tsing Hua Univ Inst Elect Engn Hsinchu Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Inst Elect Engn Hsinchu Taiwan;
Taiwan Semicond Mfg Co Design Technol Div Hsinchu Taiwan;
Taiwan Semicond Mfg Co Design Technol Div Hsinchu Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Inst Elect Engn Hsinchu Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Inst Elect Engn Hsinchu Taiwan;
机译:具有非易失性状态的FinFET CMOS逻辑门,用于可重构计算系统
机译:系统LSI的纯CMOS逻辑工艺中具有差分单元架构的PND(PMOS-NMOS-耗尽MOS)型单多晶硅栅极非易失性存储单元设计
机译:可重新配置的非易失性垂直磁逻辑门
机译:用于16nm FINFET CMOS逻辑工艺的高速计算系统的双模式NV逻辑门
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:校正:ParkJ .;等。使用MRAM-CMOS非易失性触发器的细粒度电源门控。微型机械201910411
机译:FINFET和CMOS XOR逻辑门的软错误影响