机译:Si-IGBT和SiC功率模块中串扰的温度和开关速率依赖性
Crosstalk; IGBT; SiC MOSFET; Silicon Carbide; Temperature; insulated-gate bipolar transistor (IGBT); silicon carbide; temperature;
机译:具有用于电感电力传输应用的SI-IGBT / SIC-SBD混合模块的时间共用电流馈电ZCS高频逆变器的谐振DC-DC转换器
机译:Si-IGBT和SiC-二极管混合对的功率转换器的精确功率电路损耗估计方法
机译:门驱动技术评估和开发,以最大化硬件开关应用中SIC离散设备和电源模块的开关速度
机译:高功率密度1700-V / 300-A Si-IGBT和SiC-MOSFET混合开关型半桥功率模块
机译:基于高温LTCC的SiC双面冷却功率电子模块
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:串扰在SI-IGBT和SIC电源模块中的温度和切换速率依赖性