机译:为合并的DRAM /逻辑LSI评估DRAM刷新体系结构
DRAM; DRAM refresh; merged DRAM/logic;
机译:合并的DRAM /逻辑LSI的高性能/低功耗高速缓存架构
机译:用于合并的DRAM /逻辑LSI的动态可变线径缓存架构
机译:用于合并的DRAM /逻辑LSI的高带宽,可变线径高速缓存架构
机译:为合并的DRAM /逻辑LSI优化DRAM刷新计数
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:具有保留功能的DRAM自动刷新方案可提高能源效率和性能
机译:动态可变线大小缓存利用合并DRam /逻辑LsI的高片上存储器带宽
机译:来自韩国的DRam和DRam模块。调查编号701-Ta-431(最终版)