机译:光晕对周围栅极MOSFET影响的分析和数值研究
Department of Microelectronics, Xi'an Jiaotong University, Xi'an, 710049. P.R. China;
Department of Microelectronics, Xi'an Jiaotong University, Xi'an, 710049. P.R. China;
Department of Microelectronics, Xi'an Jiaotong University, Xi'an, 710049. P.R. China;
College of Technical Physics. Xidian University, Xi'an 710071. P.R. China;
MOSFET; surrounding-gate; compact model; halo;
机译:比例缩放MOSFET中HALO对短沟道和热载流子影响的影响的分析和数值研究
机译:用于晕圈掺杂的圆柱形环绕栅MOSFET的新的分析阈值电压模型
机译:包括有效电荷路径效应(ECPE)的分析阈值电压模型,用于带局部电荷的环绕栅MOSFET(SGMOSFET)
机译:双栅极和周围栅极MOSFET在使用分析模型中累积累积中的比较研究
机译:暗物质晕的分析和数值研究。
机译:理想化的3D辅助机械超材料:分析数值和实验研究
机译:晕环注入MOSFET中的闪烁噪声的分析模型
机译:由于对花岗岩和混凝土的多重冲击而产生的穿透器阻力和目标损坏:联合实验,分析和数值效应