Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価

摘要

Recentry, from a point of environmental problems, oxygen gas sensors attract attention of controlling the exhaust gas. The Ga_2O_3 has an oxygen detection characteristic at more than 9001, so this material the attracts much attention as an oxygen sensor at high temperature. Therefore P-Ga_2O_3 films have been prepared by a RF magnetron sputtering method. The influence of annealing process on the crystal properties was investigated. The effect of the measureing temperature on the crystal properties was also investigated. It was found that the crystal properties of films depend on the annealing temperature. The stable properties were obtained at about 1000℃.%近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素検知特性を持つことから、高温用酸素ガスセンサとして注目されている。そこで本研究ではβ-Ga_2O_3薄膜をスパッタリング法で生成し、熱処理による結晶特性への影響と、測定温度の酸素センサ特性への影響について調べた。その結果、作成した薄膜の結晶特性は、熱処理の温度に依存することがわかった。また、測定温度は約1000℃でもっとも安定したセンサ特性が得られた。