MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法

摘要

Important parameters of Random Telegraph Signal (RTS) in MOSFET, such as amplitude, time constant vary very much. For evaluating exact characteristics of these parameters, a statistical measurement based on large number of samples is essential. In this paper, we report the summary of the developed test pattern and the statistical results for the energy distribution of oxide traps which are extracted from large numbers of MOSFETs by the test pattern.%MOSFETにおけるRandom Telegraph Signal（RTS）の振幅，時定数等，重要なパラメータは一つ一つの特性はばらつきが大きいため，それらのパラメータの特徴を捉えるためには，大規模な標本に基づく統計的評価が不可欠である．そこで，評価手法であるアレイ状のテストパターンの概要を述べ，それを用いてRTSの特徴量を短時間に多数個測定し，それらを誘起するトラップのエネルギ分布を統計的に解析した結果を報告する．