MgA1_2O_4基板上に成長した格子整合系ホイスラー合金人工格子の結晶構造と磁気特性の相関

摘要

Since lattice mismatch between Heusler alloy and MgAl_2O_4 is less than 1%, MgAl_2O_4 substrate is a candidate material to grow Heusler alloy thin films coherently with lower defect density compared to MgO. Thus, MgAll_2O_4 substrate will enable us to control strain in Heusler alloy precisely, and Heusler alloy thin films grown on MgAll_2O_4 substrates are appropriate to study the effect of strain on magnetic properties and the electronic structure in multi-layers. In this paper, we report on the correlation among lattice structure, magnetic property and magnetoresistance of Heusler alloy thin films grown on MgAl_2O_4 substrate.%MgAl_2O_4基板（MAO基板）はホイスラー合金との格子ミスマッチが1％以下と非常に小さいため、M g O基板と比較して界面欠陥の少ないコヒーレントな薄膜成長が可能になる。そのため、基板によって起きる薄膜中の欠陥などの影響を排除することが可能であり、ホイスラー合金の磁気特性に及ぼすひずみの影響や、人工格子における界面電子構造などの評価に最適である。また、磁気トンネル接合のバリア層として用いることで界面でのスピン緩和が抑制されると期待される。本研究では、格子整合系MgAl_2O_4/ホイスラー合金積層構造の磁気特性、電子構造、磁気伝導特性と結晶構造の相関を系統的に調べた結果を報告する。