シリコン細線光導波路を用いた狭線幅波長可変レーザーの開発

摘要

We fabricated the narrow spectral linewidth wavelength tunable laser diodes with Si photonic wire waveguide ring resonators as an external optical cavity. The footprint of the optical cavity including the semiconductor optical amplifier is 2.73 mm × 0.89 mm, which is about 1/3 that of those made of SiON waveguide. About 44 nm wavelength tuning operation which covers entire L-band of optical communication wavelength range and less than 100 kHz narrow spectral linewidth were obtained by optimizing design of the external optical cavity.%シリコン細線光導波路を用いたリング共振器波長フィルタを持つ狭線幅波長可変レーザーを作製した。半導体光増幅器と波長可変フィルタを含めたフットプリントは、2.73 mm × 0.89 mmと従来のSiON導波路を用いた波長可変レーザーと比べて1/3の小型化を実現した。共振器構造の最適化によりLバンド全域をカバーする44nmの波長可変幅と100 kHz以下の狭線幅動作を実現した。