金属膜と傾斜接合を持つMMI構造による偏波面分離素子の設計

摘要

InP基板上に作成された、金属膜と傾斜接合を持つMMI(Multi-ModeInterference)による偏波面分離素子の設計を行った。素子の全長は600μm以下である。計算機シミュレーションの結果、Cバンド全体で、挿入損失0.7dB以下、偏波面消光比23dBが得られた。%We have proposed a polarization beam splitter consisting of MMI with angled joint and metal layer made on an InP substrate. The total device length is less than 600 μm. Computer simulation results show that the insertion loss is less than 0.7 dB and the polarization extinction ratio is greater than 23 dB over the entire C-band.