机译:晶粒的不均匀分布对ZnO压敏电阻噪声吸收特性的影响
Faculty of Engineering and Resource Science, Akita University 1-1, Tegata Gakuen-cho, Akita 010-8502;
varistor; microstructure; equivalent circuit; simulation; noise absorption;
机译:ZnO基多层片压敏电阻中添加剂的分布对晶界势垒的影响。
机译:ZnO压敏电阻陶瓷中各个晶界的不均匀时效行为
机译:内孔不均匀分布引起的ZnO压敏电阻的故障现象
机译:Si和Ba添加对BI基ZnO变阻器Zno晶粒生长和电气特性的影响
机译:金属氧化物压敏电阻中晶粒边界对它们交流电行为(氧化锌,MOVS)的影响。
机译:优化Bi2O3和TiO2以实现ZnO低压敏电阻的最大非线性电性能
机译:粉末工艺参数对低压ZnO压敏电阻组织和能量吸收特性的影响
机译:ZnO压敏电阻的当前定位,非均匀加热和故障