机译:铜CMP工艺的电气特性和金属布局规则的推导
Chemical-mechanical polishing; CMP; Copper; Damascene; Design rules; Dishing; Erosion; interconnect; Multilevel; Pattern density; Planarization length; Sheet resistance;
机译:铜CMP工艺的电气特性和金属布局规则的推导
机译:铜/低k金属化的新工艺技术-无磨铜CMP(AFP)和新的低k材料:甲基硅碳氧化物(MTES)
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机译:具有耦合和ECP意识的金属填充物,用于改善铜CMP中的布局均匀性
机译:银和铜金属化与低介电聚对二甲苯-N的集成,物理和电气特性。
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机译:铜BEOL布局设计规则的物理,电气和可靠性考虑