机译:PECVD ZrO {sub} 2薄膜生长的实时碳含量控制
Carbon Content; OES; PECVD; Real-Time Feedback Control; Thin-Film Growth; XPS; ZrO{sub}2;
机译:PECVD ZrO2薄膜生长的实时碳含量控制
机译:控制TiN上垂直排列的碳纳米纤维的PECVD生长的初始阶段
机译:垂直排列的氮掺杂碳纳米管的生长:在900-1100℃的温度范围内控制氮含量
机译:使用光发射光谱法实时反馈控制二氧化锆薄膜的碳含量
机译:通过沉积方法和膜厚控制和设计PECVD碳掺杂低k二氧化硅薄膜的关键性能。
机译:具有可控界面多态切换行为的无法规遵从性ZrO2 / ZrO2-x / ZrO2电阻存储器
机译:通过LPMOCVD Zro2薄膜形成期间的气相反应速率。理论上和实验获得的生长速率分布的比较。
机译:长径比和sp2 / sp3含量对Ns掺杂pECVD生长碳膜场发射性能的影响