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机译:0.25- / spl mu / m全耗尽CMOS / SOI技术中SEU的理论研究
机译:使用1.8V,0.25- / spl mu / m CMOS技术制造的CMOS有源像素图像传感器
机译:0.25 / splμ/ m,600MHz,1.5V,完全耗尽的SOI CMOS 64位微处理器
机译:BCPMOS与SCPMOS的设计和基准测试,以实现0.25- / spl mu / m CMOS技术的发展
机译:300 KG门阵列LSI,使用0.25- / splμm/ m超薄全耗尽CMOS / SIMOX和沉积钨的源极/漏极
机译:CMOS SOI技术中的射频到毫米波功率放大器。
机译:CMOS-SOI技术中的纳米集成温度和热传感器
机译:采用$ 0.25- \ mu-m $ CMOS技术的静态和动态寄存器中的单事件效果