机译:通过使用ADVANTOX / sup TM /基板来减少部分耗尽的SIMOX CMOS器件中的辐射引起的反向通道阈值电压偏移
机译:在低伽马射线辐射剂量下,沟道长度对N-MOSFET器件中辐射引起的阈值电压偏移的影响
机译:最大限度地减少部分耗尽的SOI CMOS中浮体引起的阈值电压变化
机译:掩埋沟道PMOS器件中的阈值电压-最小栅极长度的折衷方案,用于按比例缩放的电源电压CMOS技术
机译:在低伽马射线辐射剂量下对N-MOSFET器件的辐射诱导阈值电压移位的沟道长度影响
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:HfO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上阈值开关装置的阈值电压调节研究
机译:FIPOS和SIMOX基板中完全耗尽的SOI-CMOS晶体管的比较
机译:Gaas mEsFET中压电感应阈值电压漂移的二维数值模型的开发与实验验证