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机译:使用反模式Cascode SiGe HBT的数字电路设计可缓解单事件扰动
School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA;
Digital circuits; heterojunction bipolar transistors; radiation hardening; silicon germanium;
机译:优化反模式SiGe HBT以抵抗重离子诱导的单事件干扰
机译:反向模式SiGe HBT作为低噪声放大器中的有源增益级用于缓解单事件瞬态
机译:反向模式SiGe HBT在RF接收器中用于减轻单事件瞬态的应用
机译:现代SiGe BICMOS混合信号电路中单事件upsets的混合模式仿真
机译:SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:SiGe-HBT电流模式逻辑电路中单事件效应的减轻