机译:65 nm双阱和三阱CMOS技术中虚拟门隔离逻辑节点之间的单事件瞬态脉冲猝灭特性
School of Computer Science, National University of Defense Technology, Changsha, P.R.China;
Characterization; dummy gate isolation; pulse quenching effect; single-event transients (SETs);
机译:65 nm双阱和三阱CMOS技术对重离子诱导的单事件多次瞬变(SEMT)的角度依赖性
机译:伪门隔离逻辑节点之间的单事件瞬态脉冲猝灭机制
机译:布局拓扑对65 nm体CMOS工艺中单事件瞬态脉冲猝灭的影响
机译:用于具有30 nm逻辑门和高密度嵌入式存储器的65 nm节点CMOS(CMOS5)的ArF光刻技术
机译:先进CMOS技术中重离子,中子和α粒子诱导的单事件瞬态脉冲宽度的表征。
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:深N +井对65nm三重井NMOSFET的单事件瞬态的影响