20Fe
机译:CoFeB / Ir和CoFeB / Ru系统中的磁各向异性和阻尼常数
Laboratoire des sciences des procédés et des matériaux, CNRS-Université Paris 13, Villetaneuse, France;
New Memory Technology Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA;
Center for Superconductivity, Spintronics, and Surface Science, Technical University of Cluj-Napoca, Cluj-Napoca, Romania;
Laboratoire des sciences des procédés et des matériaux, CNRS-Université Paris 13, Villetaneuse, France;
New Memory Technology Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA;
New Memory Technology Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA;
Magnetic resonance; Magnetomechanical effects; Perpendicular magnetic anisotropy; Saturation magnetization; Annealing; Anisotropic magnetoresistance;
机译:通过铁磁共振研究电场对Ta / CoFeB / MgO中磁各向异性和阻尼常数的影响
机译:通过铁磁共振研究电场对Ta / CoFeB / MgO中磁各向异性和阻尼常数的影响
机译:具有垂直各向异性的反铁磁耦合[Pt / CoFeB] _(N1)/ Ru / [CoFeB / Pt] _(N2)结构中的磁化反转
机译:通过具有MgO / CoFeB / Ir / CoFeB的新型MTJ结构,大电压控制磁各向异性,大表面各向异性和大TMR并存。
机译:PT / LSMO双层磁各向异性,阻尼和界面旋转输送
机译:IrMn / CoFeB / Ru / CoFeB交换偏置合成反铁磁体的磁性能的温度依赖性
机译:界面Dzyaloshinskii-moriya在层间交换中的相互作用 反铁磁耦合pt / CoFeB / Ru / CoFeB系统