机译:大纵横比的表面粗糙度对AlGaN / AlN / GaN HFET的电学特性的影响
Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology , Göteborg, Sweden;
Heterostructures; surface orientation $(SO)$; surface roughness;
机译:InGaN沟道厚度对AlGaN / InGaN / GaN HFET的电学特性的影响
机译:二维电子气的AlN / GaN / AlGaN和AlN / GaN / InAlN异质结构的参数对其电性能和晶体管特性的影响
机译:AlN和GaN脉冲比在热原子层沉积AlGaN上的影响AlGaN in AlGaN / GaN肖特基二极管电学性能
机译:Aln / Gan超晶格缓冲层厚度对Si衬底上Algan / Gan HFET电学性能的影响
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:AlN和GaN脉冲比在热原子层沉积AlGaN上的影响AlGaN in AlGaN / GaN肖特基二极管电学性能
机译:中子辐照对alGaN / GaN HFET影响的原位栅极偏置相关研究