机译:硅封端的SiGe-pMOSFET的负偏压温度应力引起的氧化物和界面陷阱电荷产生的活化能
Activation energy; Density functional theory calculations; HfO 2; HfO2; NBTI; Oxide- and interface-trap charges; SiGe; activation energy; density functional theory calculations; oxide- and interface-trap charges;
机译:负偏置温度应力下的界面状态生成和正氧化物电荷陷阱是相关还是耦合的?
机译:一种用于表征MOSFET中接口陷阱产生的改进电荷泵方法
机译:基于电子陷阱参数提取的正偏置温度应力下IGZO TFT中电荷俘获与活化能之间关系的研究
机译:负偏压下双重配态氮对深空孔陷阱产生的影响
机译:扩散成聚合物的自由体积理论。第1部分。预测气体向弹性体中扩散的活化能的方法。第2部分。非离子染料扩散到半结晶聚对苯二甲酸乙二酯薄膜中。第3部分。玻璃化转变温度与染色转变温度之间的关系。
机译:低温胁迫下冬小麦离体细胞腺嘌呤核苷酸和能量电荷的变化
机译:利用接口陷阱电荷泵的CMOS温度传感器
机译:应力与温度相关的蠕变激活能