机译:通过在多量子阱区域掺入薄的Al(In)GaN中间层来增强紫外线发光二极管的性能
Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Al(In)GaN interlayer; Ultraviolet light-emitting diode (UV-LED); multi-quantum-well (MQW); photoluminescence (PL); ultraviolet light-emitting diode (UV-LED);
机译:通过插入薄的AlGaN中间层,在Si衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱增强蓝色发光二极管的性能
机译:具有InGaN / GaN超晶格和梯度组成的InGaN / GaN超晶格中间层的InGaN发光二极管的性能增强
机译:通过聚(9-乙烯基咔唑)中间层掺入,增强光谱稳定的蓝钙钛矿发光二极管的性能
机译:铝涂层选择性区域生长的GaN条纹提高了深紫外发光二极管的光提取效率
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:通过优化MgO层间厚度从ZnO量子点基/ GaN异质结二极管中装饰银的局部表面等离子体增强紫外电致发光