机译:基于Poynting矢量分析的半球形图案蓝宝石衬底的GaN基发光二极管仿真
, Crosslight Software Inc., Shanghai, China;
Finite difference methods; Gallium nitride; Light emitting diodes; Mathematical model; Reflection; Substrates; Time-domain analysis; FDTD; GaN; Light-emitting diode; PSS; light extraction; simulation;
机译:使用Poyntve vapions分析模拟与蓝宝石子层的GaN基光学二极管。
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:具有新型图案化的SiO_2 / Al_2O_3钝化层的图案化蓝宝石衬底上的高性能GaN基发光二极管
机译:氮化镓基发光二极管的内部量子效率更高,且图案化蓝宝石衬底的占空比更大
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:使用Poyntve vapions分析模拟与蓝宝石子层的GaN基光学二极管。