机译:基于多体理论的中红外硅基光源GeSn / SiGeSn量子阱的材料增益分析
Graduate School of Information Science and Technologies, Hokkaido University, Sapporo, Japan;
Charge carrier density; L-band; Light sources; Photonic band gap; Silicon; Strain; GeSn quantum wells; Mid-infrared photonics; Si photonics; many-body theory; many-body theory.;
机译:Si基晶格GeSn / SiGeSn多量子阱激光的设计
机译:GeSn / SiGeSn量子阱中材料增益的横向和横向磁模式的应变工程
机译:用于Si基光源的1.55μm的高Sn分数GeSn量子点
机译:基于多体理论的GeSn / SiGeSn量子阱的材料分析
机译:用于短波红外光电的硅基锗锡(GeSn)发射极。
机译:GeSn / SiGeSn量子阱中材料增益的横向和横向磁模式的应变工程
机译:基于多体理论的中红外硅基光源GeSn / SiGeSn量子阱的材料增益分析