机译:通过低压装置测量量化GaN HEMT的动态导通电阻
Univ Illinois Dept Elect & Comp Engn Urbana IL 61801 USA;
Univ Illinois Dept Elect & Comp Engn Urbana IL 61801 USA|SCiBreak AB S-17677 Jarfalla Sweden;
Univ Calif Berkeley Dept Elect Engn & Comp Sci Berkeley CA 94720 USA;
Voltage measurement; Gallium nitride; Current measurement; Stress; Temperature measurement; Power electronics; Resistance; Dynamic on-state resistance; gallium-nitride (GaN); power transistors; wide bandgap semiconductors;
机译:具有低导通电阻和增强型SOA的高压功率IC中的700V器件
机译:大功率应力对高压GaN HEMT动态导通电阻的影响
机译:用于低压GaN功率HEMT横向优化的无晶圆厂设计方法
机译:通过对低压GaN HEMT的调查,开发出一种用于测量和量化动态导通电阻的标准化方法
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:由GaN E模式HEmT的动态导通电阻引起的功率损耗的建模和量化
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。