Analiza wpływu parametrów kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora MOS

摘要

The influence of SiGe channel parameters (Ge content and SiGe layer thickness) on the C-V characteristics of a MOS capacitor is investigated using ATLAS/BLAZE simulations and a new model of LF capacitance of the considered structure.%Zbadano wpływ parametrów kanału SiGe (zawartość Ge, grubość warstwy SiGe) na charakterystyki C-U kondensatora MOS za pomocą symulacji z użyciem pakietu ATLAS/BLAZE oraz nowego modelu niskoczę-stotliwościowej pojemności badanej struktury.