Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonalnych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy

摘要

Przedstawiono zalety wynikające z zastosowania przyrządów z SiC w elektronicznych i energoelektronicznych układach w stosunku do stosowanych obecnie przyrządów, głównie z Si. Krótko omówiono proponowane do realizacji na bazie przyrządów z SiC układy: dwukierunkowych łączników półprzewodnikowych, trójgałęziowego sześ-ciołącznikowego mostka sterowanego przy użyciu metod modulacji szerokości impulsów PWM, trójfazowego układu mostkowego PWM, układów regulacji silników prądu stałego, zasilaczy DC/DC, układów mikrofalowych. Podano przewidywane wyniki realizacji układów.%The main advantages of SiC components and devices applying in electronic and power electronic units are presented in compare with applying Si devices. The units proposed to investigations were shortly described. There are: the bidirectional semiconductor switches, the three-arm six-switch PWM controlled bridge 0,5 kW rated in low voltage version and 5 kW rated in high voltage version, the three phase PWM controlled bridge in low and high voltage version with hybrid switches, the control system of the DC current electrical motors. The expected results of investigations were presented.