Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na pod?o?ach GaSb metod? MOCVD

摘要

We present experimental results of MOCVD epitaxy of GaSb and some other III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. Through optimisation of epitaxy process and substrate preparation we resolved several specific technological issues. Observed characteristic relatively high contamination by oxygen and carbon can introduce difficulties in device applications. We have recognized and resolved problems related to the facility of oxide creation on the GaSb surface. We show characterisation results derived by photolumines-cence, X-ray diffraction, absorption, SIMS, optical microscopy, AFM and other.%Przedmiotem prezentowanych badań jest technologia epitaksji MOCVD na pod?o?ach GaSb warstw GaSb oraz niektórych innych materia?ów Ill-V zawieraj?cych antymon. Przeprowadzenie optymalizacji procesu epitaksjalnego oraz przygotowania pod?o?y pozwoli?o pokona? podstawowe charakterystyczne problemy tej technologii. Zamieszczone dane analizy w?a?ciwo?ci warstw: fotoluminescencji, rozpraszania rentgenowskiego, absorpcji, SIMS, mikroskopii optycznej oraz AFM wykazuj? dobr? jako?? strukturaln?, inne parametry, jak np. w?a?ciwo?ci no?ników, wymagaj? dalszej optymalizacji. Natrafiono na problemy w postaci du?ej zawarto?ci w?gla i tlenu, trudno?ci zwi?zane z obecno?ci? tlenku na powierzchni pod?o?y oraz inne charakterystyczne problemy epitaksji MOCVD zwi?zków zawieraj?cych antymon.