PARE SŁÓW O GaN I SiC

摘要

Nakładem wydawnictw EE Times Europe i Power Electronics News ukazała się i jest dostępna w in-ternecie nowa pozycja książkowa. Zawarto w niej zbiór ciekawych publikacji z zakresu zastosowań elementów półprzewodnikowych wykonywanych z materiałów o dużej szerokości pasma zabronionego (WBG - Wide Band Gap). A oto tytuły artykułów: 1. Szerokie możliwości wykorzystywania GaN i SiC w energoelektronice.