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RF Micro unveils rGaN-HV~(TM) Process technology for power device process

机译:RF Micro推出用于功率器件工艺的rGaN-HV〜(TM)工艺技术

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摘要

Rf Micro Devices, Inc., a global leader in the design and manufacture of high-performance radio frequency components and compound semiconductor technologies, announced the extension of RFMD's industry-leading GaN pro cess technology portfolio to include a new technology optimized for high voltage power devices in power conversion applications.
机译:Rf Micro Devices,Inc.是设计和制造高性能射频组件和化合物半导体技术的全球领导者,它宣布扩展RFMD业界领先的GaN工艺技术产品组合,以包括针对高压电源进行了优化的新技术。电源转换应用中的设备。

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    《Electronics Today》 |2012年第10期|p.53|共1页
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  • 正文语种 eng
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