Bis 30 A Ausgangsstrom optimiert

摘要

Für Leistungselektronik und mobile Produkte kombinieren die asymmetrischen Dual-MOSFET-Leistungsstufen-Module der Serie FDMS36xxS einen Steuer-und einen synchronen MOSFET, sowie eine monolithische Schott-ky Body-Diode in einem PQFN-Gehäuse. Die Bauteile sind intern verbunden, um eine einfache Platzierung und Routing bei synchronen Abwärtswandlern zu ermöglichen. Der Steuer-MOSFET und der synchrone MOSFET (SyncFET) wurden für Ausgangsströme bis 30 A opti- miert. Durch die Integration dieser Bauteile in einem einzigen Modul wird mit den Bauteilen der FDMS36xxS-Serie deutlich weniger Leiterplattenfläche benötigt, da zwei oder mehr 5 mm × 6 mm große PQFN-, S08- und DPAK-Gehäuse entfallen können.