SiC-basierte Power-Module und Power-Chips für Automotive

摘要

Die weltweit ersten in Großserie produzierten reinen SiC-Power-Module hatte ROHM 2012 vorgestellt. Jetzt erweitert der Hersteller das bestehende Portfolio der vollständig in SiC gefertigten Power-Module durch die erste Hochstrom-Ausführung für 1200 V und 300 A. Diese waren bisher für 1200 V und 120 A (mit MOSFET und SBD) bzw. für 1200 V und 180 A (nur MOSFET) verfügbar.