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机译:外延剥离砷化镓发光二极管至硅,用于制造光电集成电路
Lab. of Electromagn. & Acoust., Ghent Univ., Belgium;
III-V semiconductors; etching; gallium arsenide; integrated circuit technology; integrated optoelectronics; light emitting diodes; photolithography; GaAs LEDs; GaAs-Si; Si substrate; epitaxial lift-off technique; opto-electronic integrated circuits; quasimonolithic OEICs; semiconductors;
机译:通过外延剥离在硅上制备GaAs-AlGaAs GRIN-SCH SQW激光二极管
机译:利用外延剥离将InGaAs / GaAs / AlGaAs应变层SQW LED和GaAs MESFET进行单片集成
机译:集成GaAs解码电路的AlGaInP LED阵列的设计与制造
机译:通过外延剥离将GaAs LED与硅电路集成
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于单片三维集成电路应用的低成本和低温多晶硅纳米线传感器阵列的制造
机译:通过使用高通量外延升降向高分辨率成像系统,通过使用高通量外延升降机的可见GaAs和近红外ingaAs的单片集成
机译:集成,灵活,高效的太阳能电池:外延剥离Gaas太阳能电池和启用基板重复使用。