94 GHz InP MMIC five-section distributed amplifier

Majidi-Ahy R.; Riaziat M.

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94 GHz InP MMIC five-section distributed amplifier

机译：94 GHz InP MMIC五部分分布式放大器

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A single-stage 94 GHz InP MMIC amplifier with 6.4 dB gain at 94 GHz has been developed, which is the highest-frequency MMIC amplifier reported to date. Lattice-matched GaInAs/AlInAs HEMTs with 0.1 mu m mushroom gates were the active devices. The CPW MMIC chip dimensions are 500 mu m*670 mu m.

机译：已经开发出一种单级94 GHz InP MMIC放大器，在94 GHz时增益为6.4 dB，这是迄今为止报道的最高频率的MMIC放大器。有源器件是晶格匹配的GaInAs / AlInAs HEMT，其蘑菇门为0.1微米。 CPW MMIC芯片尺寸为500微米* 670微米。

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来源
《Electronics Letters》 |1990年第2期|P.91-92|共2页
作者
Majidi-Ahy R.; Riaziat M.;
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作者单位

Device Lab., Varian Res. Center, Palo Alto, CA, USA;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
III-V semiconductors; MMIC; aluminium compounds; field effect integrated circuits; gallium arsenide; high electron mobility transistors; indium compounds; integrated circuit technology; microwave amplifiers; waveguides; 0.1 micron; 500 to 670 micron; 6.4 dB; 94 GHz; CPW MMIC chip; EHF; GaInAs-AlInAs; HEMTs; InP; MIMIC; MM-wave; MMIC amplifier; W-band; dimensions; five-section distributed amplifier; gain; millimetre-wave; mushroom gates; semiconductors; single stage amplifier;

机译：III-V半导体;MMIC;铝化合物;场效应集成电路;砷化镓;高电子迁移率晶体管;铟化合物;集成电路技术;微波放大器;波导;0.1微米;500至670微米;6.4 dB;94 GHz;CPW MMIC芯片;EHF;GaInAs-AlInAs;HEMT;InP;MIMIC;MM波;MMIC放大器;W波段;尺寸;五节分布式放大器;增益;毫米波;蘑菇门;半导体;单级放大器;

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