...
机译:GaAs / AlGaAs和InGaAs / InAlAs异质结构的选择性光化学干蚀刻
Fujitsu Labs. Ltd., Atsugi, Japan;
III-V semiconductors; aluminium compounds; etching; gallium arsenide; indium compounds; semiconductor junctions; semiconductor technology; CH 3Br gas; GaAs; GaAs-AlGaAs; HCl gas; InGaAs; InGaAs-InAlAs; deep UV light source; heterostructures; low pressure mercury lamp; photochemical dry etching; selective etching; semiconductors;
机译:使用光化学选择性干式凹槽蚀刻在3英寸InP衬底上高度均匀的N-InAlAs / InGaAs HEMT
机译:InAlAs / InGaAs异质结构FET采用选择性反应离子刻蚀栅凹技术进行处理
机译:通过分子束外延生长的GaAs / AlGaAs和InGaAs / InAlAs异质结构中的超扁平(411)A界面和均匀波纹(775)B界面
机译:CH_4 / H_2反应离子刻蚀对AlGaAs / GaAs和准晶AlGaAs / inGaAs / GaAs异质结构的电学和光学性质的影响
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:在超宽窗口中与InGaAs QWS异质结构的选择性区域外延的表面纳米结构
机译:调制掺杂Inalas / InGaas / Inalas和alGaas / InGaas / alGaas异质结构中的电子传输
机译:假晶InGaas / alGaas(ON Gaas)和InGaas / Inalas(Inp)mODFET结构的电子特性